三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层

4月16日消息， 三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。 这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路， ，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。 这种方法虽然更复[查看全文]